暨南大學(xué)2018考研真題811普通物理

1、考試科目：普通物理共5頁，第1頁2018年招收攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題年招收攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題A學(xué)科、專業(yè)名稱：凝聚態(tài)物理、光學(xué)、物理電子學(xué)、理論物理研究方向：考試科目名稱：普通物理考生注意：所有答案必須寫在答題紙（卷）上，寫在本試題上一律不給分。一、一、單項(xiàng)選擇題（每小題單項(xiàng)選擇題（每小題3分共60分）分）1關(guān)于光的本性的認(rèn)識，說法正確的是[]。（A）光就是粒子（B）光就是波（C）光具有波粒二象性（D）光不是粒子也不

2、是波2強(qiáng)度為I0的線偏振光垂直通過一偏振片，當(dāng)偏振光的振動方向與偏振片的透光方向夾角為θ時(shí)，透過的光強(qiáng)為：[]（A）（B）（C）（D）0cosI?0cos2I?20cosI?20cos2I?3利用振幅分割法將波面某處振幅分成兩部分，再使他們相遇從而產(chǎn)生[]。（A）雙折射現(xiàn)象（B）聚焦現(xiàn)象（C）干涉現(xiàn)象（D）衍射現(xiàn)象4自然光入射空氣和玻璃的分界面上，下面說法正確的是[]。（A）反射光一定是部分偏振光（B）入射角為布儒斯特角，反射光及折射光

3、都為部分偏振光（C）入射角改變，反射光的偏振化程度隨之改變（D）不能同時(shí)發(fā)生反射與折射現(xiàn)象5在楊氏雙縫實(shí)驗(yàn)中，如果入射波長變長，則[]。（A）干涉條紋間距變大（B）干涉條紋間距變?。–）干涉條紋間距不變（D）干涉條紋變紅6晴朗的天空所以呈淺藍(lán)色，清晨日出的晨曦或傍晚日落的晚霞呈現(xiàn)紅色，其原因是[]。（A）太陽光被大氣所吸收（B）太陽光被大氣所散射（C）太陽光被大氣所偏振（D）太陽光被大氣所折射7關(guān)于X射線，下面說法正確的是[]。（A）X

4、射線只能發(fā)生干涉現(xiàn)象（B）X射線不能發(fā)生干涉和衍射現(xiàn)象（C）X射線可以在晶體中產(chǎn)生衍射現(xiàn)象（D）X射線照射晶片時(shí)候產(chǎn)生雙縫衍射現(xiàn)象8關(guān)于光學(xué)儀器的分辨本領(lǐng)，以下表述正確的是[]（A）放大倍數(shù)越大，分辨本領(lǐng)越高；（B）照明光越亮，分辨本領(lǐng)越高；（C）通光口徑越大，分辨本領(lǐng)越高；（D）照明光波長越長，分辨本領(lǐng)越高?？荚嚳颇浚浩胀ㄎ锢砉?頁，第3頁18.用細(xì)導(dǎo)線均勻密繞成長為l、半徑為a(la)、總匝數(shù)為N的長直螺線管，管內(nèi)充滿相對磁導(dǎo)率為?

5、r的均勻磁介質(zhì)。若線圈中載有恒定電流I，則管中任意一點(diǎn)[]。（A）磁場強(qiáng)度大小為H=NI磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=?0?rNI.（B）磁場強(qiáng)度大小為H=?0NIl磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=?0?rNIl（C）磁場強(qiáng)度大小為H=NIl磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=?rNIl（D）磁場強(qiáng)度大小為H=NIl磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=?0?rNIl19.對位移電流，下述四種說法正確的是[]。（A）位移電流是由變化電場產(chǎn)生的（B）位移電流是由變化磁場產(chǎn)生的（C）位移電流跟傳

6、導(dǎo)電流一樣也會產(chǎn)生焦耳熱（D）位移電流的磁場不服從安培環(huán)路定理20.把兩個(gè)電容分別為C1和C2的電容器串聯(lián)起來后進(jìn)行充電，然后斷開電源，使兩個(gè)電容器同極并聯(lián)在一起，則它們的總電能[]。（A）增加（B）減少（C）不變（D）不能確定二、綜合計(jì)算題二、綜合計(jì)算題(共90分)1.（10分）如右圖所示，一無限長均勻帶電直線L的電荷線密度為λ1，在其右邊垂直放置另一長度為b、電荷線密度為λ2的均勻帶電直線AB，其近端距離L為a，不考慮極化效應(yīng)，試求

7、：（1）L周圍的電場強(qiáng)度分布；（2）AB受到的靜電力的大小。2.（12分）如圖所示，球形電容器由內(nèi)外兩個(gè)同心導(dǎo)體球殼構(gòu)成，內(nèi)極板半徑R1，外極板半徑為R2（R1R2）。在兩極板間，左半空間被電容率為ε1的電介質(zhì)填充，右半空間被電容率為ε2電介質(zhì)填充。試問：（1）當(dāng)電容器被充電后，極板上的自由電荷是否均勻分布？為什么？（2）電容器的電容是多少？3.（12分）如圖所示，一個(gè)半徑為R的薄圓盤均勻帶電，電荷面密度為σ，該圓盤繞著通過圓心且垂直于