cf4aro2等離子體修飾熔石英元件研究

1、 碩士學(xué)位論文 CF4/Ar/O2等離子體修飾熔石英元件研究 等離子體修飾熔石英元件研究 作 者 姓 名 ： 邵 勇 學(xué) 科 、 專 業(yè) ： 材 料 物 理 與 化 學(xué) 學(xué) 號 ： 212009080501002 指導(dǎo)教師 ： 孫 衛(wèi) 國 教 授 完 成 日 期 ： 2012 年 1 月 分類號 密級

2、 UDC 西華大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明 西華大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明 作者鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下進(jìn)行研究工作所取得的成果。 盡我所知， 除文中已經(jīng)注明引用內(nèi)容和致謝的地方外，本論文不包含其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表的研究成果，也不包含其他已申請學(xué)位或其他用途使用過的成果。與我一同工作的同志對本研究所做的貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。 若有不實(shí)之處，本人

3、愿意承擔(dān)相關(guān)法律責(zé)任。 學(xué)位論文作者簽名： 指導(dǎo)教師簽名： 日期： 日期 西華大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書 西華大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書 本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)屬于西華大學(xué)，同意學(xué)校保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱，西華大學(xué)可以將本論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)