熱氧化生長(zhǎng)sio2鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究

1、 I 申請(qǐng)上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文 熱氧化生長(zhǎng) 熱氧化生長(zhǎng) SiO2 鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究 鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究 學(xué) 校： 學(xué) 校： 上海交通大學(xué) 院 系： 院 系： 理學(xué)院物理系 班 級(jí)： 班 級(jí)： B0707291 學(xué) 號(hào)： 學(xué) 號(hào)： 1070729024 碩士學(xué)生： 碩士學(xué)生： 葉發(fā)敏 碩士領(lǐng)域： 碩士領(lǐng)域： 光學(xué)工程 導(dǎo) 師： 導(dǎo) 師：

2、馮仕猛（副教授） 上海交通大學(xué)物理系 上海交通大學(xué)物理系 2010 年 3 月 上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文 摘要 第 I 頁(yè) 熱氧化生長(zhǎng) SiO 熱氧化生長(zhǎng) SiO2鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究 鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究 摘 要 高效晶體硅太陽(yáng)電池是光伏電池領(lǐng)域的熱門研究之一。半導(dǎo)體硅表面

3、存在大量懸掛鍵、斷鍵等不飽和鍵，容易在禁帶形成復(fù)合中心能級(jí)，加大載流子在表面復(fù)合消失，嚴(yán)重影響少子壽命，從而降低電池光電轉(zhuǎn)換效率。通過晶體硅表面鈍化技術(shù)能夠很好地去除這些復(fù)合中心，降低硅的表面態(tài)密度，從而提高晶體硅太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率。傳統(tǒng)表面鈍化技術(shù)是使用 PECVD 的方法在晶體硅表面沉積氮化硅薄膜， 但熱氧化方法生長(zhǎng)的 SiO2 薄膜與襯底硅的晶格系數(shù)更加匹配，鈍化效果更佳。 熱氧化生長(zhǎng) SiO2 鈍化膜技術(shù)采用干氧氧化方法在晶體

4、硅表面生長(zhǎng)SiO2 薄膜，主要原因是干氧氧化生長(zhǎng)的 SiO2 薄膜結(jié)構(gòu)致密、均勻，鈍化效果好。SiO2 薄膜的鈍化效果與其質(zhì)量密切相關(guān)，如果缺陷密度大或污染嚴(yán)重，反而會(huì)嚴(yán)重影響電池性能。實(shí)驗(yàn)通過調(diào)整氧化工藝參數(shù)，包括氧化溫度、氮?dú)饬髁俊⒀鯕饬髁亢脱趸瘯r(shí)間等，得到了最適合晶體硅表面鈍化的工藝參數(shù)， 即 780℃的氧化溫度、 10L·min-1 的氮?dú)饬髁俊?6 L·min-1氧氣流量和 25min 的氧化時(shí)間。傳統(tǒng)氧化