2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、伴隨著集成度的不斷增加,半導體器件特征尺寸正在逐年變小,使得半導體器件更容易遭到高功率微波(high-power microwave, HPM)的干擾和毀傷。常用的針對 HPM損傷機理及評估 HPM參數對電子系統(tǒng)損傷或干擾的研究方法:一是通過實驗研究;二是采用理論分析研究的方式,然而只依靠實驗開展器件與電路的 HPM效應研究非常困難,難以得到具有普適性的結論,且實驗分析研究的成本較高,因此從理論上研究高功率微波對半導體器件及電子系統(tǒng)的破

2、壞機理變得十分有必要。
　　本論文以典型 P+-N--N+二極管為研究對象,利用器件仿真軟件 ISE-TCAD,構建在高功率微波作用下的二維模型,利用數值方法通過注入階躍脈沖信號和頻率為1GHz的正弦波信號研究了 HPM損傷效應與機理。對二維仿真結果進行對比,得出空間電荷效應引起負阻效應是電流絲產生的重要原因及溫度梯度促使電流移動,電流絲在 P+-N--N+模型邊緣時升溫最快但電流絲的移動過程延長了 PIN的燒毀。在正弦波信號作用

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