基于垂直布里奇曼法的InSb和InI晶體生長(zhǎng)及性能研究.pdf

1、半導(dǎo)體探測(cè)器作為輻射探測(cè)介質(zhì)的使用始于20世紀(jì)60年代，因其具有高的能量分辨率、短脈沖上升時(shí)間、小體積以及線性范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，使得很多復(fù)雜能譜的精細(xì)結(jié)構(gòu)得到了很好的研究并廣泛應(yīng)用于各種輻射探測(cè)領(lǐng)域。本課題分別以銻化銦(InSb)和碘化銦(InI)兩種化合物半導(dǎo)體為研究對(duì)象，采用垂直布里奇曼法生長(zhǎng)了InSb和InI單晶體，并對(duì) InSb和InI單晶的質(zhì)量和性能加以表征和分析，為今后半導(dǎo)體探測(cè)器的發(fā)展和應(yīng)用奠定良好的物質(zhì)基礎(chǔ)。
　　首先

2、，介紹了化合物半導(dǎo)體材料和探測(cè)器的研究背景，進(jìn)而闡述了InSb和InI兩種半導(dǎo)體材料的研究現(xiàn)狀，最后講述了本論文的研究目的和意義。
　　其次，介紹了幾種常見的化合物晶體生長(zhǎng)技術(shù)，進(jìn)而介紹了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中幾種常見的缺陷，為接下來(lái)的實(shí)驗(yàn)部分提供了理論指導(dǎo)。
　　再次，采用垂直布里奇曼法制備了 InSb單晶，找到了一種適合InSb生長(zhǎng)的工藝參數(shù)，經(jīng)線切割、研磨、拋光得到InSb單晶片。通過(guò)X射線粉末衍射儀、掃描電子顯微鏡-X射線能