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文檔簡介
1、快中子能量高,具有穿透能力強的優(yōu)勢??熘凶诱障嗄軐^厚物品進行成像檢測,具有更為重要的應(yīng)用價值,采用緊湊型中子發(fā)生器開發(fā)小型化可移動式快中子照相系統(tǒng)是重要的發(fā)展方向。準直屏蔽體設(shè)計是需要研究的關(guān)鍵問題之一,本論文基于緊湊型D-D/D-T中子發(fā)生器,分別了開展了D-T和D-D快中子照相準直屏蔽體系統(tǒng)的模擬與設(shè)計研究。
根據(jù)D-D/D-T反應(yīng)產(chǎn)生中子的能譜和角分布數(shù)據(jù),以及緊湊型中子發(fā)生器的結(jié)構(gòu)和材料,在MCNP中建立了模擬模型,
2、開展了緊湊型D-D/D-T中子發(fā)生器中子/γ輻射場的模擬研究。結(jié)果顯示,緊湊型中子發(fā)生器結(jié)構(gòu)材料對中子的慢化、散射和吸收會對中子/γ輻射場產(chǎn)生明顯影響,中子發(fā)生器中子輸出窗方向影響最小,中子通量最高,中子單能性最好。
采用MCNP程序,通過中子/γ輸運模擬,完成了基于緊湊型D-T反應(yīng)中子發(fā)生器的快中子照相準直屏系統(tǒng)的物理設(shè)計,長方體準直屏蔽體外部尺寸為:長248cm×寬178cm×高178cm,采用35cm-Fe+35cm-P
3、E(含8%10B)+4cm-Pb的復(fù)合屏蔽方式。開展了中子束特性參數(shù)的模擬研究,在樣品平面上直徑18cm照射野范圍內(nèi),準直中子束相對于單位源中子的注量約為5.24×10-6cm-2,能量大于10MeV的快中子約占88.17%,中子注量不均勻度約為5.40%,能滿足快中子照相對中子注量率的基本要求,準直中子束有較好的平行度。
采用MCNP程序,通過中子/γ輸運模擬,完成了基于緊湊型D-D反應(yīng)中子發(fā)生器的快中子照相準直屏系統(tǒng)的物理
4、設(shè)計,長方體準直屏蔽體外部尺寸為:長164cm×寬96cm×高83cm;采用30cm-PE(含8%10B)+3cm-Pb的復(fù)合屏蔽方式。開展了中子束特性參數(shù)的模擬研究,樣品平面準直中子束相對于源中子的中子注量約為2.42×10-5cm-2,中子和γ注量比值約為8,在直徑Φ6cm照射野范圍,準直中子束的中子注量不均勻度約為6.55%,滿足中子照相中子注量不均勻度不大于8%的基本要求,且準直中子束中主要為能量大于2MeV的快中子,準直中子束
5、有較好的平行度。
開展了D-D/D-T中子發(fā)生器準直屏蔽體外輻射劑量的模擬研究,結(jié)果顯示,在D-T中子發(fā)生器準直屏蔽體的準直中子出射面,距離屏蔽體一米處的束斑區(qū)域中子平均劑量率為2.03×104μSv/h,其他區(qū)域的中子平均劑量率為97.86μSv/h,即需要增加準直屏蔽體的厚度。D-D中子發(fā)生器準直屏蔽體外一米處的束斑區(qū)域的中子平均劑量率為263.62μSv/h,其他區(qū)域的中子平均劑量率為7.96μSv/h;屏蔽體的整體屏蔽
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