模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)期末復(fù)習(xí)資料

1、該復(fù)習(xí)資料，不一定適用于本校，但有比沒有要好。 該復(fù)習(xí)資料，不一定適用于本校，但有比沒有要好。第一章 第一章 半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1. 1.半導(dǎo)體 半導(dǎo)體--- ---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅 如硅 Si Si、鍺 、鍺 Ge) Ge)。2. 2.特性 特性--- ---光敏、熱敏和摻雜特性。 光敏、熱敏和摻雜特性。3. 3.本征半導(dǎo)體 本

2、征半導(dǎo)體---- ----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 4. 4.兩種載流子 兩種載流子 ---- ----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 5. 5.雜質(zhì)半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體---- ----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P *P 型

3、半導(dǎo)體 型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子） 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子） 。*N *N 型半導(dǎo)體 型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴） 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴） 。6. 6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度 載流子的濃度--- ---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

4、 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *轉(zhuǎn)型 轉(zhuǎn)型--- ---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。 通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7. 7. PN PN 結(jié)* PN PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?結(jié)的單向?qū)щ娦?-- ---正偏導(dǎo)通，反偏截止。 正偏導(dǎo)通，反偏截止。8. 8. PN PN 結(jié)的伏安特性 結(jié)的伏安特性二. 半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管*單向?qū)щ娦?單向?qū)щ娦?-

5、---- ------正向?qū)?，反向截止?正向?qū)?，反向截止?二極管伏安特性 二極管伏安特性---- ----同ＰＮ結(jié)。 同ＰＮ結(jié)。 *正向?qū)▔航?正向?qū)▔航?----- ------硅管 硅管 0.7V 0.7V，鍺管 ，鍺管 0.2V 0.2V。*開啟電壓 開啟電壓------ ------硅管 硅管 0.5V 0.5V，鍺管 ，鍺管 0.1V 0.1V。分析方法 分析方法------ ------ ---- ----將二極

6、管斷開，分析二極管兩端電位的高低 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若 V 陽 >V >V 陰( 正偏 正偏 )，二極管導(dǎo)通 ，二極管導(dǎo)通(短路或壓降 短路或壓降 0.7V); 0.7V);若 V 陽 <V <V 陰( 反偏 反偏 )，二極管截止 ，二極管截止(開路 開路)。 三、 三、穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性 穩(wěn)壓二極管的特性--- ---正常工作時(shí)處在 正常工作時(shí)

7、處在 PN PN 結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓 結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。 二極管在電路中要反向連接。對 NPN NPN 管而言，放大時(shí) 管而言，放大時(shí) VC VC ＞ VB VB ＞ VE VE 對 PNP PNP 管而言，放大時(shí) 管而言，放大時(shí) VC VC ＜ VB VB ＜VE VE 4. 4. 溫度影響 溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動。 溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高 溫度升高 ICBO C

8、BO、 ICEO CEO 、 IC 以及 以及β均增加。 均增加。5. 5.三極管的極限參數(shù) 三極管的極限參數(shù)ICM 最大集電極電流 最大集電極電流PCM 最大的集電極耗散功率 最大的集電極耗散功率U（BR）CEO C-E C-E 間的擊穿電壓 間的擊穿電壓三. 低頻小信號等效模型 低頻小信號等效模型hie ie--- ---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻， 輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用 常用 rbe be 表示； 表示； hfe

9、fe--- ---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比， 輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示； 常用β表示；微變等效模型用于分析晶體管在小信號輸入時(shí)的 微變等效模型用于分析晶體管在小信號輸入時(shí)的動態(tài)情況，不能用于靜態(tài)分析。 動態(tài)情況，不能用于靜態(tài)分析。四. 基本放大電路組成及其原則 基本放大電路組成及其原則1. 1. VT VT、 VCC CC、 Rb、 Rc 、C1、C2 的作用。 的作用。2. 2.組成原則 組成原則----

10、----能放大、不失真、能傳輸。 能放大、不失真、能傳輸。五. 放大電路的圖解分析法 放大電路的圖解分析法1. 1. 直流通路與靜態(tài)分析 直流通路與靜態(tài)分析*概念 概念--- ---直流電流通的回路。 直流電流通的回路。*畫法 畫法--- ---電容視為開路。 電容視為開路。*作用 作用--- ---確定靜態(tài)工作點(diǎn) 確定靜態(tài)工作點(diǎn)*直流負(fù)載線 直流負(fù)載線--- ---由 確定的直 確定的直線。 線。*電路