有機(jī)電致發(fā)光器件的電極修飾及發(fā)光動力學(xué)研究.pdf

1、近年來，由于OLED(Organic Light-emitting Diode)具有廣視角、高響應(yīng)速度、柔性可彎曲等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示器行業(yè)和照明領(lǐng)域脫穎而出，被認(rèn)為是繼LCD(Liquid Crystal Display)之后的下一代夢幻顯示器。在研究人員們的不斷努力下，相關(guān)理論和技術(shù)難題也不斷取得突破，在實用化道路上取得了重大進(jìn)展。但是目前效率低、壽命短和大尺寸難仍然是制約OLED產(chǎn)業(yè)化的最大壁壘。其中載流子的注入效率直接影響著器件的

2、各項性能。電極修飾是提高載流子注入效率的有效手段。是OLED的主要研究方向之一。為了提高器件的效率，研究人員提出了多種電極修飾方法，例如氧氣等離子體處理、引入緩沖層等。簡單、高效、節(jié)能、環(huán)保的電極修飾方法是各國研究人員們追求的目標(biāo)。本論文在OLED電極修飾方面進(jìn)行了有益的探索研究，主要研究內(nèi)容分為以下二個部分：
　　第一部分，我們利用電化學(xué)方法處理ITO電極表面代替通常采用的氧氣等離子體處理的方法來制備有機(jī)電致發(fā)光器件。這種辦法即

3、簡單又環(huán)保，還具有低能耗的優(yōu)點(diǎn)，通過NaCl水溶液電化學(xué)處理ITO后，我們得到功函數(shù)為5.41eV的Cl-ITO電極（氯化ITO）比未經(jīng)任何處理的ITO電極功函數(shù)提高了0.66eV。ITO表面功函數(shù)的提高是由電極表面發(fā)生了陽極氧化反應(yīng)引起的。我們的電極處理方法功耗僅約為3mW，比氧氣等離子體處理的方法的功耗（約為100W）低五個數(shù)量級。實驗中我們制備的OLED器件結(jié)構(gòu)如下：Cl-ITO/NPB(35nm)/CBP:Ir(ppy)3(15

4、nm,8wt%)/TPBi:Ir(ppy)3(10nm,8wt%)/TPBi(10nm)/Bphen(50nm)/Cs2CO3(2.0nm)/Al(100nm)?；诖似骷Y(jié)構(gòu)的最大功率效率和最大外量子效率分別為95.0lm W-1和24.2%(EQE)，與采用氧氣等離子體處理ITO制備的器件相比分別為91.2lmW-1和EQE=23.1%，分別提高4%和4.5%。
　　第二部分，我們利用ZnIx作為陰極的修飾層，制備了基于ITO

5、/ZnIx(1.0nm)/Alq3(50nm)/NPB(50nm)/MoO3(6.0nm)/Al(100nm)結(jié)構(gòu)的高效倒置OLED器件。實驗結(jié)果表明了ZnIx具有優(yōu)秀的空穴阻擋作用。ZnIx使器件的最大亮度從13.4cd/m2提高到3566.1cd/m2。另外，電流和功率效率也顯著提高，開啟電壓從13V降到了8V。ZnIx介質(zhì)層并沒有提高電子的注入效率，器件性能的提升是由于ZnIx介質(zhì)層的空穴阻擋能力引起的。結(jié)果表明層狀材料可能在光電