2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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1、半導(dǎo)體器件微型化是電子產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要發(fā)展方向，由于Flash存儲(chǔ)構(gòu)造的限制，其尺寸已經(jīng)走到了理論極限32nm。阻變存儲(chǔ)器主要在器件結(jié)構(gòu)、制備工藝和存儲(chǔ)容量等方面具有優(yōu)勢(shì)。它是最有望取代Flash存儲(chǔ)器的新一代存儲(chǔ)器。
　　本文利用磁控濺射方法，制備了Al/TiO2/ITO、Al/TiO2/Pt和Cu/TiO2/Pt三種不同器件結(jié)構(gòu)的阻變存儲(chǔ)器，使用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀對(duì)器件性能進(jìn)行了測(cè)試。當(dāng)制備壓強(qiáng)為1.0Pa、功率為100W，Al/

2、TiO2/ITO器件展現(xiàn)出良好的阻變特性，多次循環(huán)以后器件的高低阻值比大于10。Al/TiO2/ITO器件屬于雙極性阻變存儲(chǔ)器，其Set過程發(fā)生在負(fù)半軸，Reset過程發(fā)生在正半軸，這主要是由于Al電極與薄膜的接觸面被氧化為AlOx造成的。當(dāng)阻變層TiO2薄膜厚度改變，器件的開啟電壓隨著薄膜厚度的增大而增加，這主要是離子遷移率受到電場(chǎng)強(qiáng)度的影響所導(dǎo)致的。通過使用不同的頂電極誘導(dǎo)出不同的阻變機(jī)理，Al/TiO2/Pt器件引出了SCLC機(jī)制

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