氧化物阻變存儲器材料中電阻轉變與電場對磁性的調(diào)控.pdf

1、阻變存儲器是近十多年來備受關注的一種新型非易失性存儲器，作為新一代非易失性存儲器的候選者，它所表現(xiàn)出來的存儲潛力遠遠超過其他幾種存儲器。電場調(diào)控磁性的研究在信息存儲方面有至關重要的作用，電場調(diào)控磁性可以實現(xiàn)對信息的高速低功耗寫入。器件多功能化正變得受人關注，同時引領著多種物理機制耦合作用的研究，阻變存儲器跟磁性的耦合是一個典型的例子，利用電阻轉變行為實現(xiàn)電場對磁性的調(diào)控，將電阻轉變和磁性轉變集中在一個器件中，可以實現(xiàn)信息的多態(tài)存儲。

2、r>　　本論文得到如下結論:
　　1、Ag/SrTiO3/Pt阻變存儲器件，測量器件的電阻轉變特性及電場調(diào)控磁性，器件有明顯的雙極轉變特性及隨著電阻轉變磁性是發(fā)生變化的，電阻的轉變是因為銀原子發(fā)生氧化還原反應導致銀導電細絲的形成和斷開，磁性的轉變是隨電阻轉變過程薄膜材料中氧空位濃度發(fā)生變化引起。
　　2、Ag/CeO2/Nb∶SrTiO3/Ag和Ag/Sm2O3/Nb∶SrTiO3/Ag阻變存儲器件，測量兩個器件的電阻轉變特

3、性及電場調(diào)控磁性，器件有明顯的雙極電阻轉變特性及隨著電阻轉變磁性是發(fā)生變化的，其中電阻的轉變特性是源于注入電子的束縛和退束縛過程對肖特基勢壘的調(diào)制作用，磁性的轉變是隨電阻轉變過程薄膜材料中氧空位濃度發(fā)生變化引起。
　　3、Ta/Ta2O5/Pt測量器件，測量器件的電阻轉變特性及電場調(diào)控磁性，電阻轉變存在多級轉變，并且還觀察到器件隨著電阻轉變磁性是發(fā)生變化的。電阻的多級轉變是因為Ta2O5轉變到較高導電率的還原態(tài)TaG2及氧空位導電