基于MOCVD外延腔體溫度控制策略的研究.pdf

1、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片最關(guān)鍵的技術(shù)。由于半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展，MOCVD生長(zhǎng)技術(shù)的市場(chǎng)需求量與日俱增，但是現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)生產(chǎn)半導(dǎo)體材料的廠家所需MOCVD設(shè)備大部分源于進(jìn)口，因此研發(fā)出具有生產(chǎn)高質(zhì)量半導(dǎo)體材料（氮化鎵）的MOCVD設(shè)備具有重要意義，也具有很大的市場(chǎng)價(jià)值和前景。
　　本文先介紹了金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長(zhǎng)技術(shù)的概況及其研究背景和國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀，然后對(duì)MOCVD溫度控制系統(tǒng)的硬件組成

2、和工作過(guò)程做了簡(jiǎn)單概述，再按照其結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程分析了MOCVD外延腔體溫度控制的特性，分析表明MOCVD外延腔體溫度控制系統(tǒng)具備“大滯后”“非線(xiàn)性”“參數(shù)時(shí)變”等屬性。再根據(jù)數(shù)學(xué)建模的思想，以系統(tǒng)辨識(shí)的原理為基礎(chǔ)，系統(tǒng)辨識(shí)的方法為工具，把相關(guān)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，創(chuàng)立了MOCVD反應(yīng)腔體內(nèi)溫度控制系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型。
　　文中先以PID控制算法為基礎(chǔ)對(duì)溫度控制系統(tǒng)的模型進(jìn)行研究，并對(duì)由其改進(jìn)的積分分離式PID算法和變速積分式PID算法進(jìn)