多片式MOCVD系統(tǒng)溫度控制方法研究與實現(xiàn).pdf

1、MOCVD（金屬有機化合物化學氣相淀積），是第三代新型半導體材料GaN生長技術。多片式MOCVD設備的成功研制，給半導體材料的應用提供了廣闊的前景。MOCVD設備反應室內石墨基座區(qū)域的溫度控制直接影響著半導體材料生長的質量，而MOCVD設備溫度控制具有“非線性”、“大滯后”等特點，為了實現(xiàn)多片式MOCVD設備溫度控制，研究該設備的溫度控制方法是非常有必要的。 本文首先簡單介紹了MOCVD系統(tǒng)以及多片式MOCVD設備溫度控制的控制

2、對象、控制方式及控制特點。然后，根據(jù)系統(tǒng)辨識的原理，通過處理實驗數(shù)據(jù)，得到了多片式MOCVD溫度控制系統(tǒng)的靜態(tài)模型和動態(tài)模型。針對多片式MOCVD設備的近似動態(tài)模型，利用MATLAB的SIMULINK仿真環(huán)境，對幾種溫度控制方法及其復合控制方法進行了仿真。在仿真中，分析總結了參數(shù)調節(jié)規(guī)律，并比較了各種方法的優(yōu)缺點，為實現(xiàn)多片式MOCVD設備溫度控制選擇控制方法提供了理論參考。最后設計了溫度控制程序并在上位機WinCC全局腳本下編程，實現(xiàn)