金屬表面、Cu2O-金屬界面、硅表面太赫茲輻射的實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、目前，高效的太赫茲源仍然是太赫茲研究與應(yīng)用中的重點(diǎn)和瓶頸。本文主要研究金屬表面、氧化亞銅/金屬界面和硅表面的太赫茲輻射。通過多種不同的實(shí)驗(yàn)方法，我們探討了其中可能存在的產(chǎn)生機(jī)制。
　　實(shí)驗(yàn)中，用入射角可以調(diào)諧的機(jī)械結(jié)構(gòu)初步研究了金屬表面的太赫茲輻射。通過與前人工作的對(duì)比，可知，一般的振蕩級(jí)激光器在沒有激發(fā)表面等離激元的情況下，是無法輻射出可探測(cè)的太赫茲信號(hào)的。
　　在研究金屬表面輻射太赫茲過程中，發(fā)現(xiàn)Cu2O/金屬界面可以輻

2、射出比較強(qiáng)的太赫茲。我們制作了一塊Cu2O/Au薄膜樣品，其表面輻射的太赫茲電場(chǎng)強(qiáng)度有InAs的十分之一。如果可以合理的調(diào)節(jié)Cu2O/Au薄膜中的參數(shù)，有可能會(huì)制作出更強(qiáng)甚至超越InAs的太赫茲表面輻射源。
　　硅表面的太赫茲輻射很弱。實(shí)驗(yàn)中，測(cè)得硅表面輻射的太赫茲電場(chǎng)強(qiáng)度只有InAs的1/500。通過測(cè)量太赫茲電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)方位角的依賴，首次在太赫茲波段觀察到單晶硅表面的四重對(duì)稱性。我們認(rèn)為，這一對(duì)稱性和人們之前用二次諧波所觀察到的