LVDS接口I-O抗輻射加固技術(shù)研究.pdf

1、LVDS（低電壓差分信號(hào)）是CMOS電路設(shè)計(jì)中一項(xiàng)重要技術(shù)。當(dāng)今社會(huì)，隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展，需要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量越來越大，對(duì)傳輸速度要求也越來越高。LVDS技術(shù)具有著高速度，低功耗，低成本，抗共模噪聲能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。對(duì)解決這一瓶頸提供了可能。
　　本文基于SMIC0.13微米工藝，參照TIA/EIA-644-A-2001國際標(biāo)準(zhǔn)及IEEE國際標(biāo)準(zhǔn)對(duì)LVDS接口I/O電路及版圖進(jìn)行了設(shè)計(jì)，其中包括LVDS驅(qū)動(dòng)器，LVDS接收器，帶隙基準(zhǔn)

2、源，及其輔助模塊。論文對(duì)LVDS技術(shù)優(yōu)越性進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)各個(gè)模塊電路原理進(jìn)行仔細(xì)的分析，最終實(shí)現(xiàn)一套具有完整功能的LVDS接口電路及其版圖，并實(shí)現(xiàn)抗輻射加固的功能。
　　本文采用了帶反饋調(diào)節(jié)機(jī)制的 LV DS驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的性能。采用了可同時(shí)提供基準(zhǔn)電壓和基準(zhǔn)電流的帶隙基準(zhǔn)源電路從而簡化了電路結(jié)構(gòu)，減小了版圖面積。采用新型開關(guān)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了更為有效的開關(guān)狀態(tài)。最終給出量化的仿真結(jié)果。此外，本文基于對(duì)抗輻射加固要求，針對(duì)于單