光子集成中的波導(dǎo)外延生長.pdf

1、光子集成技術(shù)是光纖通信最前沿、最有前途的領(lǐng)域，它是滿足未來網(wǎng)絡(luò)帶寬需求的最好辦法。光子集成芯片與傳統(tǒng)的分立 OEO（光電光）處理相比，降低了成本和復(fù)雜性，具有小型化、小功耗、高功能、高可靠性的優(yōu)點，必將構(gòu)建一個具有更多節(jié)點的全新的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。
　　在光子集成形成的光學(xué)模塊中，器件之間通過材料生長、光刻制成的光波導(dǎo)實現(xiàn)連接，不僅省去了光纖與芯片之間繁瑣的對準(zhǔn)和耦合過程，而且可以降低損耗，提高封裝的可靠性。
　　本論文采用金屬有機(jī)

2、化學(xué)氣相沉積（MOCVD）分別對光波導(dǎo)中無源部分的n-InP、InGaAsP波導(dǎo)層、p-InP、歐姆接觸層（p-InGaAs）進(jìn)行了生長，并通過電化學(xué)電容電壓剖析儀（ECV）、光熒光譜儀（PL）、X射線雙晶衍射儀（XRD）和原子力顯微鏡（AFM）等儀器對外延材料生長質(zhì)量進(jìn)行了測試分析，最終為整個波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的生長提供了高質(zhì)量的外延材料，此外還進(jìn)行了InGaAsP/InP量子阱的生長測試，達(dá)到了設(shè)計目標(biāo)，為后期有源波導(dǎo)層的生長以及集成奠定了基