磁性薄膜系統(tǒng)中的磁化性質(zhì)研究.pdf

1、在科學技術日新月異的今天，以磁性材料為基礎的自旋電子器件廣泛地應用于生活的各個方面。而磁性薄膜結構以其獨特的光學、力學、電磁學特性成為磁讀寫頭、磁傳感器等器件中最常見的基本結構。因此，對于單層、雙層、多層的磁性薄膜的磁性質(zhì)的研究亦成為人們關注的焦點。
　　在影響磁性薄膜系統(tǒng)磁特性的眾多因素當中，應力是不可避免也是一種最常見的因素。磁性薄膜結構中的應力因素主要來源于人為施加的外應力和制備過程中的殘余應力。人為施加的外應力可以用來調(diào)控

2、磁膜系統(tǒng)中磁特性，而殘余應力則需要人們深入的了解并加以規(guī)避。本文主要研究了一種符合高斯分布的非均勻應力對單層磁性薄膜的影響，以及由于薄膜基底之間晶格失配引發(fā)的應力對鐵磁/反鐵磁雙層膜性能的影響。
　　第一章介紹了物質(zhì)的磁特性、磁學理論發(fā)展史和自旋閥薄膜系統(tǒng)的基本結構以及自旋閥薄膜結構中的最重要現(xiàn)象之一——交換偏置效應。第二章詳細地介紹了本文研究結果中主要采用的研究方法:蒙特-卡羅(Monte-Carlo)模擬法，自由能變分法等。<

3、br>　　第三章詳細分析了利用彈性基底向基底上生長的磁性薄膜施加應力這種現(xiàn)在十分流行的手段所施加的非均勻應力對磁性薄膜磁性質(zhì)的影響。為此，本文建立了以高斯函數(shù)為分布特征的應力模型進行模擬計算，得到了些有意義的結果，并同相關實驗做了比較。
　　第四章分析了由于晶格失配或殘余應力等因素引起的應力對鐵磁/反鐵磁雙層膜系統(tǒng)中矯頑場和偏置場的影響。結果表明，其應力可以通過改變磁薄膜系統(tǒng)中等效各向異性來影響鐵磁/反鐵磁雙層膜系統(tǒng)中的矯頑場與交