甲酸根離子摻雜的鹵化銀中光電子特性研究.pdf

1、本文采用微波吸收介電譜檢測(cè)技術(shù)，系統(tǒng)檢測(cè)了甲酸根離子摻雜的立方體鹵化銀乳劑在35ps脈沖激光作用下所產(chǎn)生的光電子的衰減行為，獲得了不同摻雜條件下的鹵化銀乳劑中光電子衰減時(shí)間分辨譜，分析了甲酸根離子的空穴陷阱效應(yīng)以及光電子衰減特性與摻雜條件的關(guān)系，并對(duì)部分化學(xué)增感和光譜增感的摻雜乳劑進(jìn)行了初步研究。
　　根據(jù)檢測(cè)甲酸根離子摻雜的立方體AgCl乳劑中光電子衰減時(shí)間分辨譜，研究了摻雜條件的變化對(duì)光電子衰減過程的影響。通過分析均勻摻雜的立

2、方體AgCl乳劑中自由光電子和淺束縛光電子衰減特性隨摻雜濃度的變化發(fā)現(xiàn)，采用均勻摻雜的方式，在適當(dāng)?shù)臐舛认?，甲酸根離子能有效地起到空穴陷阱的作用，但摻雜效果并不太明顯。根據(jù)不同摻雜位置和濃度的立方體AgCl乳劑中光電子衰減特性，得到了甲酸根離子的最佳摻雜濃度和位置，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，甲酸根離子摻雜在接近顆粒表面的位置能比較好的發(fā)揮空穴陷阱的作用。這是由于鹵化銀晶體表面的填隙銀離子濃度比體相濃度高，摻雜接近表面層時(shí)，空穴陷阱俘獲曝光產(chǎn)生的光空穴后

3、，從復(fù)合中逃逸的光電子以及甲酸根離子俘獲空穴后所釋放的光電子可以與更多的填隙銀離子結(jié)合成銀原子，說明了在接近微晶表面摻雜適當(dāng)濃度的甲酸根離子對(duì)提高乳劑的潛影形成效率起到了較好的作用。另外，通過對(duì)化學(xué)增感和光譜增感的立方體AgCl摻雜乳劑的檢測(cè)，發(fā)現(xiàn)甲酸根離子在乳劑增感后仍可以發(fā)揮其空穴陷阱效應(yīng)。
　　根據(jù)檢測(cè)均勻摻雜以及不同位置和濃度的甲酸根離子摻雜的立方體AgBr乳劑中光電子衰減時(shí)間分辨譜，分析了AgBr乳劑中甲酸根離子摻雜條件