氟代三（8-羥基喹啉）鋁的合成和性能研究.pdf

1、本論文首先設(shè)計制備了5種取代的三(8-羥基喹啉)鋁的衍生物：三(5-氟-8-羥基喹啉)鋁(5FAlq3)，三(6-氟-8-羥基喹啉)鋁(6FAlq3)，三(7-氟-8-羥基喹啉)鋁(7FAlq3)，三(6,7-二氟-8-羥基喹啉)鋁(6,7DFAlq3)和三(5-氯-8-羥基喹啉)鋁(5ClAlq3)，對它們的合成路線進行了優(yōu)化，大大縮短了反應(yīng)時間，并通過核磁、質(zhì)譜和元素分析等方法表征了產(chǎn)物的化學(xué)結(jié)構(gòu)和純度。 研究了獲得的5種取

2、代三(8-羥基喹啉)鋁衍生物溶液和固體薄膜中的發(fā)光行為，發(fā)現(xiàn)通過不同位置的氟取代可對Alq3的發(fā)光性能進行調(diào)控。和Alq3相比，5位氟代的Alq3衍生物(5FAlq3)吸收峰和發(fā)射峰發(fā)生紅移，且溶液中熒光量子效率急劇下降；6位氟代的Alq3衍生物(6FAlq3)吸收峰和發(fā)射峰發(fā)生藍移，且溶液中熒光量子效率大幅增加；而7位氟代的Alq3衍生物(7FAlq3)吸收峰和發(fā)射峰則無明顯變化，溶液中的熒光量子效率略有下降。由于溶劑化作用，各種Al

3、q3衍生物在不同溶劑中的熒光量子效率不同。薄膜中的發(fā)光行為和在溶液中的比較接近，只是由于固體中分子間的相互作用，吸收和熒光光譜略有紅移。 通過循環(huán)伏安測試表征了各種Alq3衍生物的能級結(jié)構(gòu)，并且用量子化學(xué)模擬計算了氟代Alq3的能級電子云分布，發(fā)現(xiàn)不同位置氟原子取代對Alq3的LUMO和HOMO能級電子云的分布有很大的影響。其中5位取代的氟原子參與了喹啉配體的共軛，推測氟原子的共軛作用增加了配體和中心鋁原子的作用，增加了電子隙間

4、竄越的幾率，造成了更多的能量損失，從而引起5FAlq3熒光量子效率的降低。聲光測試證實了不同的氟代Alq3衍生物由非輻射躍遷損失的能量確實是不同的，從而支持了以上的推論。 用SEM和AFM研究了氟代Alq3衍生物真空蒸鍍薄膜的形貌，發(fā)現(xiàn)均為無定型薄膜，即使提高基片溫度也對薄膜形貌沒有影響，XRD也表明薄膜中的樣品為非晶。。說明氟代對Alq3化合物的薄膜形貌影響很小，這對電致發(fā)光是有利的。 對氟代Alq3衍生物OLED器件