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1、 本文的工作是在KT5D磁約束環(huán)裝置上完成的,主要分兩大部分。 第一部分是在托卡馬克脈沖環(huán)流放電條件下進(jìn)行的,重點考察偏壓電極對徑向電場的影響。王成等人在KT5以前的實驗工作中,主要是使用單電極加正偏壓的方法,得到了偏壓導(dǎo)致流剪切抑制湍流等結(jié)果?!〉诙糠质窃贓CR穩(wěn)態(tài)放電條件下進(jìn)行的。首先,詳細(xì)分析了環(huán)形磁約束ECR放電等離子體性質(zhì),發(fā)現(xiàn)放電狀態(tài)強(qiáng)烈依賴于磁場、氣壓等外界條件,調(diào)節(jié)磁場、氣壓可以得到某種確定的等離子體參數(shù)剖面分
2、布。從圖像和密度徑向分布上看,主要存在三種強(qiáng)吸收區(qū):EC共振層,UH共振層,外邊界區(qū)。其次,分析ECR穩(wěn)態(tài)等離子體漲落功率譜,發(fā)現(xiàn)在不同的徑向位置普遍存在一個低頻峰(6.5kHz),相關(guān)漲落量的相角差分析表明應(yīng)屬于漂移模。另外,在環(huán)形穩(wěn)態(tài)裝置中等離子體是否存在長程相關(guān),尚有爭議,我們對KT5D實驗的分析表明,多數(shù)地方H指數(shù)都非常接近0.5,基本上不存在長程相關(guān)性;對漲落引起的輸運(yùn)通量的計算結(jié)果顯示它也是陣發(fā)的,說明陣發(fā)并不必然由SOC態(tài)
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