聚吡咯膜修飾電極的制備以及利用修飾電極的過程富集待測物方法的研究.pdf

1、該文利用聚吡咯膜制備中的離子摻雜過程作為富集手段,對抗壞血酸、草酸、硝苯地平和土霉素在電極表面上的富集進(jìn)行了研究,同時建立了草酸、硝苯地平的分析檢測方法.發(fā)現(xiàn)采用該方法可以提高檢測的靈敏度,降低檢測下限,從而豐富與發(fā)展了溶出伏安分析法.利用電化學(xué)、紅外光譜、石英晶體微天平等手段對該方法進(jìn)行了研究,證明了待測物可以方便的在聚吡咯膜的形成過程中摻雜進(jìn)聚吡咯膜.在一定條件下又可溶出,溶出過程中獲得的電化學(xué)響應(yīng)可用于分析檢測.論文的主要工作總結(jié)

2、如下:1、綜述了化學(xué)修飾電極和導(dǎo)電聚合物修飾電極的研究進(jìn)展.2、制備了聚吡咯修飾電極,進(jìn)行了抗壞血酸的富集研究.3、對硝苯地平在聚吡咯修飾電極上的電化學(xué)行為進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)在NH<,3>-NH<,4>Cl底液中以200 mV/S進(jìn)行線性掃描,硝苯地平在聚吡咯修飾電極上有一靈敏的線性掃描峰,峰電位在-0.96v(vs.SCE).峰電流與硝苯地平的濃度在1×10<'-6>~1×10<'-4>mol/L有良好的線性關(guān)系,檢測下限為5×10<'

3、-7>.4、利用吡咯的聚合過程將硝苯地平摻雜富集進(jìn)聚吡咯膜中,在0.088 mol/LH<,2>O<,2>+0.1 mol/L H<,2>SO<,4>底液中以100 mV/s進(jìn)行線性掃描,硝苯地平有一靈敏的線性掃描溶出峰,峰電位在-0.628v(vs.SCE).峰電流與硝苯地平的濃度在1×10<'-8>~1×10<'-4>mol/L有良好的線性關(guān)系,檢測下限為5×10<'-9>,檢測靈敏度有了很大提高.5、利用吡咯的聚合過程將草酸根離子