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文檔簡介
1、隨著現(xiàn)代科技的進(jìn)一步發(fā)展,光電探測器的應(yīng)用領(lǐng)域越來越多,這些領(lǐng)域?qū)怆娞綔y器的要求也越來越高。一方面,人們需要高效率的光電探測器來實(shí)現(xiàn)對微弱光的探測。另一方面,需要能夠?qū)Σ煌ㄩL的光進(jìn)行探測。本工作圍繞以上兩點(diǎn),對基于P3HT∶PC71BM(質(zhì)量比為100∶1)體系的倍增型光電探測器進(jìn)行優(yōu)化,器件結(jié)構(gòu)為玻璃基底/氧化銦錫/聚3,4-亞乙二氧基噻吩∶聚苯乙烯磺酸/有源層/鋁。
為了提高基于P3HT∶PC71BM(質(zhì)量比為100∶
2、1)體系的倍增型光電探測器的外量子效率(EQE),本工作研究了添加劑1,8-二碘辛烷(DIO)和甲醇處理對器件性能的影響。具有較高沸點(diǎn)的DIO對富勒烯的溶解性較好,而對P3HT的溶解性較差。甲醇沸點(diǎn)較低且與DIO有良好的互溶性。在摻有DIO的有源層上旋涂一層甲醇后能夠在有效去除殘留DIO的同時把PC71BM提到靠近有源層上表面的位置。根據(jù)之前的研究,靠近鋁電極的陷阱電子對器件的EQE貢獻(xiàn)最大。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明摻雜DIO且甲醇處理的器件的EQ
3、E有了明顯提升,在20V的反向偏壓下的最大EQE從38,000%提升到了242,700%。
基于P3HT∶PC71BM(質(zhì)量比為100∶1)體系的倍增型光電探測器最大探測波長約為680nm,在近紅外區(qū)域(NIR)器件基本沒有響應(yīng)。為了制備NIR倍增型探測器,窄帶隙材料PBDT-TS1被加入到了原有P3HT∶PC71BM二元體系中。在優(yōu)化了摻雜比例后基于三元體系的器件的探測范圍得到了有效拓展,10V反向偏壓下,最優(yōu)器件在760n
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