半導體納米顆粒載流子的超快弛豫過程.pdf

1、半導體納米材料具有大的非線性系數及超快的光學響應速度，使其有可能成為制作未來高速信息技術器件最理想的材料。特別是其所具有的超快響應特性，有可能突破現有電子器件的響應速度限制，從而使信息處理的速度產生質的飛躍。近年來，圍繞著半導體納米材料超快響應特性，學者們作了大量的實驗和理論工作，對超快響應的機制作了深入的研究。針對現有研究現狀中存在的問題，本文對半導體納米材料的超快響應特性作了一些理論的探討，主要工作有：
　　 1.簡單介紹了

2、納米材料的主要特性和物理理論，然后對常用的實驗方法進行了說明。
　　 2.建立了載流子弛豫過程的模型。通過分析量子限制效應及表面效應，總結了半導體納米顆粒的能級結構，結合載流子的弛豫特征，發(fā)現載流子的弛豫過程可用電子速率方程來描述。
　　 3.運用數值模擬方法討論了激發(fā)密度、表面態(tài)密度及俘獲態(tài)電子的弛豫率對弛豫過程的影響。討論結果表明，激發(fā)密度的增大及表面態(tài)的減少都會導致表面態(tài)上電子的飽和，使導帶上出現電子的積累，導帶電