聚合物光激發(fā)放電及其測量系統(tǒng)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、聚合物在電氣、電子絕緣中應用極為廣泛，但其中的空間電荷誘導的局部電場畸變，將對絕緣材料的老化和擊穿特性帶來巨大的影響.空間電荷往往是各類陷阱的俘獲造成的，陷阱的性質決定著電荷的存貯和輸運。
　　 光激發(fā)放電法(Photo Stimulated Discharge-PSD)與熱刺激電流法(Thermally Stimulated Current-TSC)是研究聚合物材料中陷阱結構及其所控制的空間電荷存貯及輸運特性的工具。相比于熱刺

2、激方法，光激發(fā)放電法可以測量到聚合物中大于3eV的深電荷陷阱。更重要的是，光激發(fā)放電法是一個等溫測量過程，避免了熱刺激方法中因溫度升高致使分子運動加劇給陷阱造成的熱侵蝕，可以更真實地表征給定溫度下陷阱的本征特性。因此，光激發(fā)放電法提供了一個能夠在更寬的能譜范圍內更加準確地測量陷阱深度的有效手段。
　　 本文分析了光照在聚合物上可能發(fā)生的光電子過程，對光激發(fā)放電方法研究聚合物陷阱態(tài)參數(shù)做了較充分的分析，并搭建了以波長可調諧激光器為

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