基于多孔硅犧牲層的MEMS電容式壓力傳感器研究.pdf

1、壓力傳感器作為一種廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代生產(chǎn)生活中的傳感器，自問世以來已有約70年的歷史，隨著微電子產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，當(dāng)前壓力傳感器正朝著智能化、微型化和集成化的方向邁進(jìn)。
　　本文基于SOI硅片上多孔硅制備的新方法和新裝置，著眼于電容式壓力傳感器的新結(jié)構(gòu)，給出一種基于多孔硅犧牲層的MEMS電容式壓力傳感器的新結(jié)構(gòu)，最后給出了該種傳感器的制備工藝流程。本文的主要工作成果有:
　　(1)基于多孔硅制備的雙槽電化學(xué)腐蝕法，探索研究了制備多

2、孔硅材料的新方法和新裝置，設(shè)計(jì)有一種雙槽電化學(xué)腐蝕法制備多孔硅的新型裝置，該新型裝置能夠滿足普通硅片和SOI硅片上制備多孔硅的需求，并且能夠制備不同形狀、數(shù)量的多孔硅區(qū)域，該新型裝置具有結(jié)構(gòu)簡單、操作方便和安全性高的特點(diǎn)。
　　(2)基于電容式壓力傳感器的基礎(chǔ)上，給出了一種基于多孔硅犧牲層的MEMS壓力傳感器的新結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)采用開有若干深槽的方形P++硅薄膜作為敏感層，通過ANSYS仿真軟件對平板薄膜結(jié)構(gòu)和開槽薄膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行了比較分