硅電容式差壓傳感器的研制.pdf

1、硅電容式差壓傳感器在國(guó)際上剛剛嶄露頭角,在國(guó)內(nèi)尚屬空白,此項(xiàng)目被國(guó)家列為"十五"攻關(guān)課題,以填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白,適應(yīng)市場(chǎng)的大量需求.該文介紹了幾種硅電容式差壓傳感器的設(shè)計(jì)方案,并且考察了儀表所現(xiàn)有的工藝條件和技術(shù)水平,比較各種方案對(duì)該傳感器產(chǎn)業(yè)化的難易程度,最終確定了符合現(xiàn)有的工藝條件、易于產(chǎn)品化以及與其它產(chǎn)品生產(chǎn)相兼容的最佳方案.硅電容式差壓傳感器是在沈陽(yáng)儀器儀表工藝研究所研制的,利用了MEMS的各種工藝.文中詳述了相關(guān)工藝的原理、流程、優(yōu)

2、缺點(diǎn)、及工藝條件對(duì)傳感器性能的影響等.例如,KOH溶液對(duì)硅的各向異性腐蝕,磁控濺射臺(tái)制作光亮的鋁膜,超聲打孔機(jī)制作導(dǎo)壓孔,靜電鍵合裝置對(duì)硅島膜與玻璃極板的陽(yáng)極封接等等.對(duì)試制的前期樣品性能進(jìn)行了測(cè)試,發(fā)現(xiàn)它的重復(fù)性、回差性、滯后性基本達(dá)到設(shè)計(jì)要求,但穩(wěn)定性不太理想,有時(shí)間漂移的現(xiàn)象.通過(guò)查閱資料和反復(fù)試驗(yàn),最終找到了影響穩(wěn)定性的根源,并在工藝上可以得到解決,穩(wěn)定性能有所提高.可以說(shuō)成功地研制出了硅電容式差壓傳感器.在研制過(guò)程中,該文積累