基于憶阻器的耦合行為與突觸電路研究.pdf

1、隨著電子技術和材料工藝的發(fā)展，復雜信息處理的方式越來越高效簡潔。作為納米級材料的最新成果，憶阻器將磁通量和電荷聯(lián)系起來，并且?guī)в杏洃浱匦裕由掀涮烊坏募{米級尺寸，受到了學術界和工業(yè)界的極大關注和研究。同時，憶阻器能夠模擬人類大腦中突觸的記憶功能，這有望徹底改變計算機的工作方式和信息處理方式。
　　本文分析了憶阻器的研究現(xiàn)狀，緊接著總結了憶阻器相關數(shù)學模型的理論和仿真。然后，對憶阻器間的耦合行為進行了詳細分析，探討了初始阻值對憶阻器

2、工作范圍的影響。最后，對憶阻橋突觸電路進行了相關分析和仿真實驗，并且針對其不足進行了改進。
　　首先，本文分析了惠普憶阻器、自旋憶阻器和磁控耦合憶阻器的數(shù)學模型，并且進行了理論分析和仿真實驗。
　　其次，在磁控憶阻器的基礎上構建了磁控耦合憶阻器的數(shù)學模型，總結了不同連接方向下的憶阻器串并聯(lián)的耦合行為，而且利用設計的圖形用戶界面直觀的展示了耦合憶阻器的關系曲線。然后，討論了不同初始憶阻值下，憶阻器正常工作范圍的變化。緊接著利用