基于憶阻器的圖像存儲與優(yōu)化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、1971年,蔡少棠教授基于電路元件與變量之間對應(yīng)關(guān)系的不完備性,大膽斷言了第四種基本無源電路元件—憶阻器的存在,并給出了憶阻器的數(shù)學模型。直到2008年,惠普實驗室終于研制出了首個可以使用的憶阻器,并建立了相應(yīng)的微分方程模型。
　　憶阻器是一種具有記憶功能的非線性電阻。它的電阻變化取決于流經(jīng)它的電荷量。作為第四種基本無源器件,憶阻器在很多領(lǐng)域都具備巨大潛力。文中對憶阻器的基本特性進行了研究,對憶阻器的物理結(jié)構(gòu)、電阻隨電荷改變的機理

2、都做了較詳細的分析。按照惠普實驗室給出的微分方程模型搭建了有邊界效應(yīng)憶阻器的仿真電路模型。按照微分方程推導了其輸入輸出特性,并進行仿真實驗來驗證各項電氣特性以證明仿真模型的有效性。
　　提出了將憶阻器用于圖像存儲的一種方案—用憶阻器交叉陣列來存儲圖像的各像素點。經(jīng)大量仿真實驗驗證,這種方案可以不丟失精度的存儲與還原黑白、16色、256色圖像信息。在此基礎(chǔ)之上,進一步對該圖像存儲方案提出了減少憶阻器數(shù)量的存儲優(yōu)化方法,并通過仿真實驗

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