憶阻器器件的制備工藝和結構優(yōu)化研究.pdf

1、憶阻器(memristor)是一種除電阻、電容、電感以外的第四種新型的二端無源電子元器件。其性質獨特具有非線性，當流經憶阻器的電荷的數(shù)量和方向發(fā)生變化時，阻值發(fā)生相應變化，從而記憶住每時每刻流經的電荷量。它具有高速、低功耗、結構簡單、易集成、與CMOS工藝兼容等優(yōu)點，可作為下一代高速非易失性存儲器，可用于模擬神經元突觸，以模仿人類的大腦功能，而成為國內外研究的熱點。憶阻器簡單的三明治結構和易集成的交叉互聯(lián)的crossbar結構可用于目前

2、的微電子工藝，做成大規(guī)模的憶阻器陣列。目前優(yōu)化憶阻器制備工藝和器件結構，以提高器件性能，加速器件實用化進程是目前研究的重點。
　　本文選取Ge2Sb2Te5作為憶阻器功能材料，利用傳統(tǒng)的光刻和剝離工藝，重點探討了憶阻器器件的制備工藝研究和器件優(yōu)化，包括器件制備工藝優(yōu)化、器件結構優(yōu)化和器件電極優(yōu)化。文章首先介紹了憶阻器的基本原理、器件結構和制備工藝的發(fā)展，并且詳細介紹了薄膜制備、光刻、剝離工藝原理及難點，以及實驗中采用的憶阻器器件制