雙擴展憶阻器納米結構模型與特性研究.pdf

1、憶阻器是繼電阻、電容、電感之外的一種新型電路元件。憶阻器的概念是由美國蔡少棠教授于1971年提出并命名的[1]，2008年美國HP實驗室制作出第一個實用的憶阻器模型。由于憶阻器在數(shù)據(jù)存儲、神經網絡模擬和電路設計等眾多領域具有廣泛的應用前景，因此憶阻器出現(xiàn)不久便受到了全世界的廣泛關注。
　　 本文在對憶阻器基本工作原理學習、研究的基礎上，提出了一種新型Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt納米結構雙擴展憶阻器。雙擴展憶阻

2、器以美國HP實驗室提出的憶阻器為基礎，在本征TiO2層與鉑納米線之間增加一層納米TiO2+x薄膜，形成Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt結構，由于引入雙擴展效應，極大的提高了憶阻器的開關速度，很好的滿足未來數(shù)字電子技術發(fā)展的要求。
　　 論文第一章首先簡單介紹了憶阻器的國內外發(fā)展現(xiàn)狀，然后介紹了美國HP實驗室憶阻器模型、電子自旋阻塞憶阻器模型和新型電子自旋阻塞憶阻器模型等，最后對憶阻器理論模型分析、生物研究和存儲器

3、制造等領域的應用前景進行了展望。論文第二章重點介紹了Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt納米結構雙擴展憶阻器的基本工作原理、結構模型。第三章首先給出了雙擴展憶阻器的工藝制作原理和工藝流程，然后給出了雙擴展憶阻器的模型和實物圖。第四章首先給出了鉑納米線的Ⅴ-Ⅰ特性曲線，通過曲線計算得到鉑納米線電阻值為SkΩ。然后給出了雙擴展憶阻器Ⅴ-Ⅰ特性曲線，測得當電壓為+3V時，正向電流為6.0×10-8A，此時雙擴展憶阻器功率為1.8×