基于憶阻的非易失性存儲方法的研究.pdf

1、隨著大數(shù)據(jù)時代的來臨，需要存儲的數(shù)據(jù)信息越來越多，時代發(fā)展的需要給存儲設(shè)備的容量和性能提出了更高的要求。但是，根據(jù)摩爾定律，集成電路的體積和性能的發(fā)展即將到達極限，集成電路的發(fā)展將會遭遇瓶頸。憶阻，被稱為下一代能夠取代閃存的非易失性存儲介質(zhì)的理想材料之一，具有SRAM的快速存儲速度、DRAM簡單的結(jié)構(gòu)、閃存的非易失性的特點、具有比相變存儲器更短的開關(guān)時間并且能夠與CMOS晶體管技術(shù)相兼容，這些優(yōu)勢使憶阻成為了具有劃時代意義的新型非易失性

2、存儲技術(shù)。目前，憶阻被廣泛地應(yīng)用于交叉陣列的存儲中，為存儲設(shè)備的發(fā)展帶來了曙光。
　　論文首先對薄模型TiO2憶阻的物理機制進行深入分析，闡述了憶阻開關(guān)機理，主要包括電子的隧穿過程和熱電子發(fā)射過程。根據(jù)憶阻的開關(guān)機制，分析并仿真了憶阻的指數(shù)模型和閾值模型；然后基于憶阻的物理機理，介紹了憶阻的相關(guān)特性，闡述了脈沖信號對憶阻阻值的影響，設(shè)計了基于憶阻存儲的讀、寫、擦除電路；為了實現(xiàn)存儲容量的提升，論文接著討論了憶阻交叉陣列結(jié)構(gòu)，分析了

3、影響交叉陣列性能的漏電流問題，設(shè)計了一種降低漏電流的存儲單元結(jié)構(gòu)?；趹涀杞徊骊嚵写鎯Φ南嚓P(guān)特性，本文最后介紹了樹形文件管理的相關(guān)原理，并對其進行了一定的優(yōu)化，設(shè)計了基于憶阻存儲的文件管理樹的相關(guān)算法，主要包括文件樹的創(chuàng)建、搜索、刪除、擴展和收縮的算法。通過文件管理樹，基于憶阻的存儲設(shè)備能夠高效地對憶阻存儲單元的物理地址進行搜索，從而對存儲的信息進行有效的讀、寫、擦除操作。
　　本論文的研究成果包括了基于憶阻的非易失性存儲的各方面