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1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文0.35微米SONOS非易失存儲(chǔ)器件可靠性的改善研究姓名：李占斌申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：軟件工程指導(dǎo)教師：程秀蘭段振永200812017參數(shù)Dataretention和Endurance，可以明顯改善器件的可靠性。在實(shí)驗(yàn)的部分，將利用InSituONO的形成方法生長隧穿氧化層氮化硅層阻斷氧化層(ONO)，行成SONOS結(jié)構(gòu)，對SONOS結(jié)構(gòu)電容器進(jìn)行CV與IV特性的量測與分析，來確認(rèn)量子點(diǎn)捕獲電荷的能力。接著利用
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