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1、有機場效應(yīng)晶體管存儲器具有材料來源廣、工藝簡單、可低溫常溫制備、溶液制備、非破壞性讀取、柔性集成等眾多優(yōu)點,廣泛受到科研人員的關(guān)注。本文介紹了有機場效應(yīng)晶體管存儲器的發(fā)展歷程、分類以及存儲機理,設(shè)計并制備了可調(diào)節(jié)隧穿層勢壘的浮柵型有機場效應(yīng)晶體管(OFET)存儲器,并對其存儲機理進行了解釋。
文中將Breath-figure法和旋涂法相結(jié)合,利用水的乳化性質(zhì),讓超聲分散的小水滴在溶液中均勻分布,充當(dāng)多孔模板;旋涂法制備薄膜保證
2、了薄膜的厚度和表面粗糙度可控。為了探究多孔結(jié)構(gòu)在OFET存儲器中的功能,我們分別使用薄的/厚的無孔結(jié)構(gòu)和低密度/高密度多孔結(jié)構(gòu)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜充當(dāng)隧穿層制備出四個浮柵型OFET存儲器;多孔結(jié)構(gòu)和無孔結(jié)構(gòu)PMMA隧穿層存儲器相比較,多孔結(jié)構(gòu)的PMMA隧穿層能夠?qū)Ω判蚈FET存儲器器件的存儲性能產(chǎn)生積極影響,促進存儲器讀寫擦性能的改善。此外,隨著PMMA薄膜孔密度的增加,存儲器的性能也同步增加。通過研究多孔結(jié)構(gòu)PMMA薄膜
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