基于小分子浮柵的非易失性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的研究.pdf

1、存儲(chǔ)元件是電子設(shè)備中數(shù)據(jù)的處理、存儲(chǔ)以及交流的基本組成部分，現(xiàn)代信息技術(shù)的快速發(fā)展帶來人們對(duì)智能、柔性、可打印以及一次性電子設(shè)備大量需求。與傳統(tǒng)的無機(jī)半導(dǎo)體器件相比,基于有機(jī)半導(dǎo)體材料的器件具有成本低、可實(shí)現(xiàn)大面積加工、可與柔性基底集成等優(yōu)點(diǎn)。尤其是基于晶體管的有機(jī)非易失性存儲(chǔ)器，具有非破壞性讀取、易于集成以及能夠在單個(gè)晶體上實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)而備受關(guān)注。
　　近年來，為了制備高密度、高速度并且非易失性的高性能OFET存儲(chǔ)設(shè)備，提出了基

2、于分子浮柵的OFET存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。尺寸在1 nm內(nèi)的小分子材料代表了一種理想的浮柵層電荷存儲(chǔ)基元，它們不僅具有較小的載體態(tài)密度還具有較高的電荷結(jié)合能，非常有利于增大浮柵層的電荷捕獲密度和捕獲電荷，實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)。小分子材料具有性能穩(wěn)定、分子和電子結(jié)構(gòu)定義明確、且能根據(jù)需求進(jìn)行電子結(jié)構(gòu)和能帶的設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)，但相比于聚合物，應(yīng)用于存儲(chǔ)研究的小分子材料還很少，目前應(yīng)用較多的僅C60、Alq3等，且存在存儲(chǔ)密度低和電荷泄露的問題。
　　本論文蒸

3、鍍篩選了一些具有島狀生長(zhǎng)模式的小分子材料2`.7`-DCNSFX和SFDBAO作為OFET存儲(chǔ)器的浮柵層材料，分別探究了它們的電荷捕獲能力，并對(duì)相應(yīng)分子浮柵的OFET器件進(jìn)行性能優(yōu)化，最終制備出基于共混旋涂SFDBAO/PS分子浮柵的高性能非易失性O(shè)FET存儲(chǔ)器件。成功實(shí)現(xiàn)了電子和空穴的雙向存儲(chǔ)，并且器件遷移率也得到迅速提升。遷移率達(dá)0.8 cm2 V-1 S-1、存儲(chǔ)窗口可達(dá)146V（正向78V，負(fù)向68V）、維持時(shí)間超過5×104