基于光調控的有機場效應晶體管非易失性存儲器的研究.pdf

1、有機場效應晶體管存儲器具有制備工藝簡單，可設計性強，可非破壞性讀取，可與柔性基底集成等眾多優(yōu)點，因而受到研究者的廣泛關注。作為替代或者補充現(xiàn)有無機半導體存儲技術的有機半導體存儲技術,有機場效應晶體管存儲器具有極大的研究價值和經濟前景。但是目前有機場效應晶體管存儲器的高性能和數(shù)據存儲的穩(wěn)定性以及存儲機制等問題急需解決。
　　本論文介紹了有機場效應晶體管存儲器的發(fā)展歷史、種類以及工作機理，并設計制備了一系列具有光電存儲性質并且性能穩(wěn)定

2、的有機場效應晶體管存儲器，并對其工作機理進行了探討。
　　（1）設計并制備了基于Si/SiO2/PVK/Pentacene/Au器件結構的有機場效應晶體管存儲器，以Pentacene／PVK作為功能層，研究了存儲器件的光電存儲性質。應用光照作為信息寫入擦除的編程方法在單極性存儲器件上實現(xiàn)了雙極性存儲，在電存儲基礎上拓展了光電存儲的信息寫入擦除方式。這種雙極性存儲器件的電子存儲時間和空穴存儲時間能夠維持在104s以上，開關比分別維持

3、在103和104，表現(xiàn)出穩(wěn)定的雙極性存儲特性。
　　（2）研究了納米浮柵型的有機場效應晶體管存儲器，設計并制備了基于 Si/SiO2/PMMA/Au NPs/PVK/Pentacene/Au結構的有機場效應晶體管存儲器，以 Au納米粒子作為浮柵層，器件的Au納米粒子浮柵通過真空蒸鍍法制備，制備工藝簡單，可控性強。探究了金納米浮柵型有機場效應晶體管存儲器的光電存儲特性，應用光照作為信息寫入擦除的信息編程方式，器件表現(xiàn)出良好的光電存儲