基于合成的SiO2納米球制備GaAs納米線陣列光陰極研究.pdf

1、砷化鎵（GaAs）納米線陣列結(jié)構(gòu)因同時(shí)具有GaAs的基本性質(zhì)和納米材料的優(yōu)良特性，使得制備出的負(fù)電子親和勢(shì)（NEA）光陰極有量子效率高、暗電流低等優(yōu)點(diǎn)。因而該材料成為最有前景的光電發(fā)射材料之一，在高性能電子源、光電倍增管、太陽能電池等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用潛力。
　　本文利用GaAs納米線陣列光陰極的光電發(fā)射模型，針對(duì)入射光角度、納米線直徑、納米線高度、納米線的間距（即占空比D/P）等不同條件對(duì)GaAs納米線陣列光陰極光電流的影響進(jìn)行仿真

2、。在仿真結(jié)果的基礎(chǔ)上采用膠體刻蝕法制備GaAs納米線陣列結(jié)構(gòu)，并在制備過程中不斷改進(jìn)實(shí)驗(yàn)步驟，優(yōu)化工藝參數(shù)。
　　本文采用改進(jìn)的Stober法合成直徑為350nm和500nm的SiO2納米球，用旋涂法將所合成的SiO2納米球制作掩模層，其實(shí)驗(yàn)參數(shù)為使用轉(zhuǎn)速為600rpm勻膠機(jī)運(yùn)行10s，再用轉(zhuǎn)速為1900rpm轉(zhuǎn)4s，得到的掩模層相對(duì)較為理想，最后用納米球掩模層對(duì)GaAs襯底進(jìn)行刻蝕，以制備GaAs納米線陣列。利用SEM分析刻蝕時(shí)