基于量子點(diǎn)復(fù)合材料的制備及其在白光LED中的應(yīng)用.pdf

1、半導(dǎo)體熒光量子點(diǎn)是一種新型的無(wú)機(jī)納米材料，以其獨(dú)特的帶隙可調(diào)性能得到了人們廣泛的關(guān)注，在太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管和生物標(biāo)記等領(lǐng)域顯示出重要的學(xué)術(shù)價(jià)值和可觀的應(yīng)用前景。本文基于量子點(diǎn)在白光LED方面的應(yīng)用，成功合成了黃綠光CuInS2/ZnS量子點(diǎn)和紅光CuInSe2/ZnS量子點(diǎn)，并詳細(xì)探究了CuInSe2量子點(diǎn)的形成機(jī)理和發(fā)光機(jī)制。為了解決硅樹(shù)脂與量子點(diǎn)在制備復(fù)合材料時(shí)的固化問(wèn)題，并改善量子點(diǎn)在硅樹(shù)脂中的分散情況，本文采用原位合成的方法

2、制備復(fù)合材料，并通過(guò)加入帶巰基的表面改性劑來(lái)促進(jìn)量子點(diǎn)的分散。此外，本文將利用量子點(diǎn)復(fù)合材料通過(guò)兩種方案來(lái)制備白光LED，具體研究?jī)?nèi)容如下：
　?。?）黃綠光CuInS2/ZnS核殼量子點(diǎn)的制備。采用一鍋法成功制備了CuInS2/ZnS量子點(diǎn)，并研究了成核反應(yīng)的溫度、包覆殼層時(shí)間對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光峰波長(zhǎng)和熒光量子產(chǎn)率的影響。最終確定的反應(yīng)條件為：在200℃進(jìn)行成核反應(yīng)，ZnS殼層包覆過(guò)程持續(xù)240min，制備的CuInS2/ZnS核殼量

3、子點(diǎn)的發(fā)光峰波長(zhǎng)為534nm，熒光量子產(chǎn)率能夠達(dá)到69.42％。
　?。?）紅光CuInSe2/ZnS核殼量子點(diǎn)的制備。采用熱注射法制備CuInSe2量子點(diǎn)，探究了油胺作為配位化合物對(duì)實(shí)驗(yàn)的影響，進(jìn)而提出了CuInSe2量子點(diǎn)的形成機(jī)理；通過(guò)合成不同銅銦比的量子點(diǎn)來(lái)探究組分對(duì)量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響，銅銦比為1/1的CuInSe2量子點(diǎn)包覆完ZnS后熒光量子產(chǎn)率能夠達(dá)到40.7%，發(fā)光峰波長(zhǎng)為720nm，而銅銦比為1/2的CuI

4、nSe2量子點(diǎn)包覆完ZnS后熒光光譜會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)發(fā)射峰；通過(guò)瞬態(tài)熒光光譜儀測(cè)量了CuInSe2量子點(diǎn)的熒光壽命，并詳細(xì)研究了它的發(fā)光機(jī)理。
　?。?）量子點(diǎn)復(fù)合材料的制備及其在白光LED中的應(yīng)用。將制備的量子點(diǎn)預(yù)先與反應(yīng)單體混合，采用原位合成的方法來(lái)制備硅樹(shù)脂，固化后制成量子點(diǎn)復(fù)合薄膜，并測(cè)試了該薄膜的透過(guò)率和熱穩(wěn)定性；在合成硅樹(shù)脂時(shí)通過(guò)加入(3-巰基丙基)三甲氧基硅烷來(lái)改善量子點(diǎn)的分散問(wèn)題。將合成的黃綠光量子點(diǎn)復(fù)合材料用于封裝制備