In-,2-O-,3-基透明導(dǎo)電薄膜的制備及特性研究.pdf

1、In<,2>O<,3>基透明導(dǎo)電薄膜由于其獨特的光學(xué)和電學(xué)性能：可見光區(qū)域的高透過、紅外區(qū)域的高反射以及低的電阻率，而在光電器件特別是平板顯示方面具有極其廣闊的市場，因此，開展透明導(dǎo)電薄膜的制備及其特性研究有很好的實際意義。本論文針對透明導(dǎo)電薄膜的制備、后續(xù)熱處理以及薄膜光學(xué)常數(shù)的求解等方面展開研究，具體內(nèi)容有： 首先，采用給定物理限制條件的方法來優(yōu)化擬合薄膜可見光區(qū)域的正入射透射光譜計算Nb<,2>O<,5>光學(xué)薄膜和透明導(dǎo)電

2、的ITO薄膜的光學(xué)常數(shù)和厚度。結(jié)果表明，擬合和測量的光譜曲線非常吻合，得到的薄膜厚度與實驗事實一致。另外，這種方法對于厚度較薄光譜幾乎沒有干涉條紋的薄膜也適用。 其次，提出以Forouhi-Bloomer模型和修正的Drude自由電子模型相結(jié)合的光學(xué)常數(shù)介電模型，通過優(yōu)化光學(xué)模型系數(shù)的方法從透射光譜計算了ITO薄膜的光學(xué)常數(shù)和厚度，以及從光譜擬合的結(jié)果求解薄膜的電學(xué)參數(shù)。光譜擬合效果良好，優(yōu)化的薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)均符合實驗事實，

3、計算的電學(xué)參數(shù)和電學(xué)測量的結(jié)果相符。 再次，利用直流磁控濺射制備ITO薄膜，研究氮氣氣氛中不同溫度退火處理對ITO 薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電學(xué)性質(zhì)的影響。研究結(jié)果表明，剛制備薄膜的可見光區(qū)域透過率可達90％，薄膜電阻率為～10<'3> Ωcm：低溫退火薄膜的性質(zhì)幾乎不變，當(dāng)退火溫度升高薄膜的結(jié)品性能提高，電阻率降低，同時可見光區(qū)域的高透過率仍然保持。 最后，對摻鈦氧化銦(ITiO)薄膜做了初步的實驗研究，發(fā)現(xiàn)直流磁控濺射