不同耦合參量下帶同號電荷的兩平板間反離子和同離子的密度分布研究.pdf

1、最近,Netz課題組提出了對應(yīng)于高表面電荷密度、高離子化合價、低溫情形的強(qiáng)耦合理論(Strong-coupling theory, SC),并利用該理論研究了兩個帶同號電荷的平板中間具有單一反離子的系統(tǒng)的配分函數(shù)及其反離子分布,并對帶同種電荷的兩平板間的靜電吸引作用的機(jī)制提供了一定的物理解釋.他們證明他們提出的強(qiáng)耦合理論在PB方法有效的相反情況下(即三→∞時)近似準(zhǔn)確.為了檢驗Netz等人提出的強(qiáng)耦合理論的正確性、進(jìn)一步明確該理論中三的

2、取值范圍,該文以帶同種電荷的兩平板間同時存在反離子和同離子的系統(tǒng)為研究對象,詳細(xì)分析了該系統(tǒng)耦合參量三可能的取值范圍.對于強(qiáng)耦合情形即三<1時,根據(jù)PB理論計算的該系統(tǒng)的反離子密度分布和同離子密度分布與Monte Carlo模擬結(jié)果完全一致,證明此時PB理論是適用的;三≥1時,根據(jù)PB理論計算的該系統(tǒng)的反離子密度分布和同離子密度分布偏離Monte Carlo模擬結(jié)果,且隨著耦合參量三增大,這種偏離越大,表明此時PB理論完全不能預(yù)言該系統(tǒng)