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文檔簡介
1、近年來對硼氮納米管(BNNTs)氣敏特性的研究成為一大熱點課題。如何對硼氮納米管表面進行修飾改性,誘導其半導體化,并提高其對氣體分子的敏感性和選擇性是一大難題。理想型的BNNTs表現(xiàn)出絕緣性,而且與CO分子幾乎沒有相互作用。本論文主要通過理論研究的方法對理想型的BNNTs進行摻雜改性,研究其對CO分子的吸附作用。
本論文用MaterialsStudio中的CASTEP軟件包,以三周期(5,5),(6,6),(7,7)BNN
2、Ts為研究對象,進行了結構優(yōu)化和性質計算。首先對理想型BNNTs進行單個Pd原子的取代摻雜,然后再對Pd原子取代摻雜BNNTs的管壁表面與CO分子的相互作用進行理論研究。
研究發(fā)現(xiàn):對一個Pd原子取代摻雜BNNTs中的一個B原子或者一個N原子的體系進行結構優(yōu)化后,硼氮納米管的幾何結構發(fā)生了明顯的變化,出現(xiàn)了局部扭曲;并且摻雜后硼氮納米管的帶隙也明顯降低,使其變成了半導體,提高了導電性。Pd原子摻雜后的BNNTs體系對CO分
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