化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯及其光電性能研究.pdf

1、學(xué)位授予單位及代碼：垂墨堡工盔堂!!Q!豎2學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：攫星盔拉墼!QZQ!墮2研究方向：塑鲞墅舷扭魁申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：熊主導(dǎo)師：奎金蘭割童益研究生：墼堂煎論文起止時(shí)叫：墊!Q：!!=蘭Q!!：12柵摘要化學(xué)氣相沉積法是制備大面積高質(zhì)量石墨烯的重要途徑。但是在多晶金屬材料上實(shí)現(xiàn)層數(shù)可控的石墨烯生長(zhǎng)仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。針對(duì)這一問(wèn)題，本論文丌展了以下研究；(1)利用化學(xué)氣相沉積方法，在晶圓尺寸的鎳膜表面合成了石墨烯薄膜材料。通過(guò)對(duì)反應(yīng)氣氛、

2、鎳膜厚度及生長(zhǎng)時(shí)間的調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了對(duì)石墨烯薄膜層數(shù)及均勻性的調(diào)節(jié)。將這種制備方法拓展到銅箔銅鎳合金、鑲箔和泡沫鎳等其他襯底上，同樣得到了高質(zhì)量的石墨烯薄膜材料。(2)通過(guò)將鎳膜上生長(zhǎng)的石墨烯做成霍爾器件和場(chǎng)效應(yīng)器件研究了所制各韻石墨烯薄膜的電學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明，以化學(xué)氣相沉積法在鎳膜表面合成的石墨烯薄膜的室溫遷移率高達(dá)2900Cm2v1sI，其層問(wèn)扭曲的少層石墨烯薄膜具有優(yōu)異的透明導(dǎo)電性能，它在透光率為92％時(shí)的方塊電阻可低至100n／o。