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文檔簡介
1、石墨烯是一種新型二維碳材料,自2004年在實(shí)驗(yàn)室被制備出后,以其新穎優(yōu)異的光、電、熱、力等性能,成為材料等領(lǐng)域的焦點(diǎn),并在短短幾年里,發(fā)展了數(shù)種制備方法,以石墨烯為基礎(chǔ)的電子器件也吸引了大量的研究。目前限制石墨烯產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的仍然是材料的制備,探究石墨烯的生長機(jī)理、制備大面積高質(zhì)量的石墨烯顯得尤為迫切。在眾多制備方法中,化學(xué)氣相沉積法(CVD)是最有可能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的一種方法,本文著重研究用CVD法在銅箔上制備高質(zhì)量石墨烯及其復(fù)合物。<
2、br> 我們研究了實(shí)驗(yàn)參數(shù)及襯底取向?qū)κ┥L初期(2分鐘)形貌的影響,分析機(jī)理,可控的制備出了六邊形、花形等形貌的石墨烯,并進(jìn)一步研究了石墨烯薄膜(15分鐘)的可控生長。通過優(yōu)化參數(shù),制備出了高質(zhì)量的單層石墨烯,并成功的將其轉(zhuǎn)移到石英、玻璃、SiO2/Si等襯底上,對其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了各種表征,如光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、拉曼。
我們進(jìn)一步研究了石墨烯的光電性能,單層石墨烯的可見光透過率達(dá)到97.2%,方塊電阻
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