低速高電荷態(tài)離子在晶體Al（111）面掠射過程的計(jì)算機(jī)模擬.pdf

1、低速高電荷態(tài)離子，由于其電荷態(tài)極高而速度非常低(小于玻爾速度)，當(dāng)它與固體表面相互作用時(shí)，會(huì)有許多不同于普通低電荷態(tài)離子的特性，因此，隨著產(chǎn)生高電荷態(tài)離子離子源性能的提高，高電荷態(tài)離子與表面作用正在受到越來越多的關(guān)注。 本論文用計(jì)算機(jī)模擬的方法研究了低速高電荷態(tài)離子在金屬表面掠射的整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程。模擬中主要包括以下幾個(gè)方面：入射離子所受的來自于固體的鏡像加速過程，入射離子與固體的電荷交換過程，靶原子的熱振動(dòng)和移位對(duì)入射離子運(yùn)動(dòng)路徑

2、的影響以及入射離子的能損等方面。 本論文模擬的基本思想是在經(jīng)典過壘模型下，采用蒙特卡羅方法(MonteCarlo)來模擬入射離子與固體間電荷交換過程的隨機(jī)性，并將入射離子連續(xù)的運(yùn)動(dòng)過程離散化，在每一個(gè)步長(zhǎng)中，將入射離子的運(yùn)動(dòng)近似看成是勻加速直線運(yùn)動(dòng)。 本論文的主要意義在于它可以給出中空原子形成及變化過程的直觀圖像。通過比較模擬得到的入射離子所獲得的鏡像能量隨入射離子初始電荷態(tài)關(guān)系與staircasemodel計(jì)算的結(jié)果以