低速高電荷態(tài)離子在非晶態(tài)靶上散射的計(jì)算機(jī)模擬.pdf

1、隨著各種測(cè)量方法的應(yīng)用和探測(cè)技術(shù)的提高，近年來各種離子源，如ECRIS(ElectronCyclotronResonanceIonSource，電子回旋共振離子源)、EBIS(ElectronBeamIonSource，電子束離子源)、EBIT(ElectronBeamIonTrap，電子束離子阱)源等原則上能提供任意高電荷態(tài)的離子，這允許我們開展高電荷態(tài)離子的研究工作，而在以前只有在宇宙中或者實(shí)驗(yàn)室里高溫等離子體內(nèi)才存在這種離子。高電

2、荷態(tài)離子目前應(yīng)用很廣泛，在原子結(jié)構(gòu)、核結(jié)構(gòu)的研究和驗(yàn)證、相對(duì)論、量子電動(dòng)力學(xué)、基本粒子物理的研究和檢驗(yàn)以及對(duì)天體、核聚變等各類等離子體的研究和診斷都有著重要的作用。關(guān)于低速高電荷態(tài)離子同表面作用也成為其中很重要的研究工作，可以更好的了解表面結(jié)構(gòu)、探索新的結(jié)構(gòu)改性方法和相關(guān)納米技術(shù)的研究發(fā)展。 本論文參考處理低能高電荷態(tài)離子同表面相互作用過程中廣泛采用的經(jīng)典過壘模型來處理入射離子軌道能級(jí)上電荷轉(zhuǎn)移的變化和對(duì)入射離子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的影響，

3、并對(duì)這個(gè)過程設(shè)計(jì)相關(guān)程序通過計(jì)算機(jī)進(jìn)行模擬。此外，針對(duì)高電荷態(tài)離子穿透非晶態(tài)靶物質(zhì)的碰撞散射過程中，考慮到電子云屏蔽的影響，引入屏蔽庫(kù)侖勢(shì)能，在很難得到解析描述的情況下，通過編寫算法計(jì)算散射截面及能量分布，并對(duì)模擬結(jié)果進(jìn)行分析討論。 本論文的內(nèi)容分為以下幾個(gè)章節(jié)：第二章簡(jiǎn)單說明當(dāng)前HCI同表面作用的研究方向第三章詳解介紹COBM理論及相關(guān)知識(shí)；第四章是有關(guān)HCI在靶內(nèi)，同靶原子中的電子和靶核相互作用相關(guān)理論；第五章簡(jiǎn)單介紹通用的