N2容性耦合等離子體徑向不均勻性研究.pdf

1、在現(xiàn)代的半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)中，低溫等離子體技術(shù)常常被應(yīng)用于基片刻蝕、薄膜生長(zhǎng)以及表面改性等等方面。容性耦合等離子體源相對(duì)于感應(yīng)耦合等離子體源來(lái)說(shuō)，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，更容易形成大口徑等離子體等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體工業(yè)當(dāng)中。甚高頻容性耦合等離子體(CCP)是一種主要的刻蝕工具。由于其能分別控制離子通量和離子能量，通常用于高精度的薄柵極氧化層的刻蝕上。另外，高于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的13.56MHz的頻率的高密度的容性耦合等離子體也常被用于高沉積率的薄膜沉積

2、當(dāng)中。
　　 在本文中，通過(guò)使用掃描發(fā)射光譜儀和朗繆爾雙探針的測(cè)量方法研究了40.68MHz的射頻驅(qū)動(dòng)的N2容性耦合等離子體(CCP)的不均勻性：利用朗繆爾雙探針測(cè)量了在氮?dú)獾入x子體內(nèi)徑向方向上電子密度和電子溫度，從而對(duì)容性耦合等離子體中氮?dú)獾碾娮用芏群碗娮訙囟鹊木鶆蛐赃M(jìn)行研究；采用最小二乘法逐點(diǎn)比較測(cè)量值和理論值的方法，通過(guò)對(duì)氮分子第二正帶系(C3∏u-B3∏g)380.4nm到367.1nm的峰進(jìn)行了擬合，得到氮分子的轉(zhuǎn)動(dòng)溫