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文檔簡介
1、半導(dǎo)體量子點材料在納米電子學(xué)、光電子學(xué)中具有廣泛的應(yīng)用前景。研究量子點的組分分布和電子結(jié)構(gòu)情況對指導(dǎo)光電器件的生產(chǎn)和制備具有重要意義。本文采用有限元和有效質(zhì)量近似方法研究了量子點的組分分布情況及量子點的大小、生長方向等因素對量子點的電子結(jié)構(gòu)的影響情況。主要內(nèi)容包括:
⑴研究了量子點大小對類氫摻雜量子點電子結(jié)構(gòu)和結(jié)合能的影響。采用有限元方法,利用有效質(zhì)量近似薛定諤方程計算了類氫摻雜半橢球形量子點的電子結(jié)構(gòu)和結(jié)合能隨量子點大小
2、的變化趨勢。研究結(jié)果表明雜質(zhì)能級隨量子點體積的增大呈下降趨勢。研究結(jié)果有利于選擇合適的量子點來制備器件。
⑵分析了InGaAs/GaAs量子點平衡組分分布情況。采用有限元方法和二次規(guī)劃優(yōu)化方法,計算了InGaAs/GaAs量子點的平衡組分分布,比較了陡峭量子點和平緩量子點平衡組分分布的不同,討論了熵對量子點組分的影響;對單量子點和量子點陣列平衡組分分布的區(qū)別進行了比較。研究結(jié)果表明量子點越陡峭,其組分越是趨于分離;溫度越高
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