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文檔簡介
1、本論文由兩部分工作組成。第一部分是GdOBr分別摻雜Zu<'3+>,Tb<'3+>和Ce<'3+>發(fā)光材料的制備及其真空紫外光譜性質(zhì)研究。第二部分是Eu<'3+>,Tb<'3+>和Ce<'3+>在GdOBr基質(zhì)晶場中的理論能級計算。 第一章中,首先闡述了發(fā)光的基本概念和本文所涉及的稀土離子發(fā)光的發(fā)光特性。然后總結(jié)了可見光量子剪裁的研究現(xiàn)狀及其在照明和顯示技術(shù)中的重要應用。并指出我們所做工作的基本出發(fā)點就是探索新基質(zhì)體系中的量子剪
2、裁,研究VUV激發(fā)下的高效發(fā)光材料。最后對高溫固相反應法制備發(fā)光粉體的基本原理和合成條件做了相關(guān)介紹。 第二章中,分別研究了Eu<'3+>,Tb<'3+>和Ce<'3>摻雜的GdOBr發(fā)光粉末的VUV光譜性質(zhì)。雖然在GdOBr基質(zhì)中并未觀測到如同某些氟化物和氧化物基質(zhì)中的量子剪裁現(xiàn)象,但這項工作也是我們對于探索合適的量子剪裁材料以及擴展VUV廠發(fā)光基質(zhì)材料的一個嘗試。實驗結(jié)果還表明GdOBr基質(zhì)以及Gd<'3+>離子對VUV-U
3、V輻射都有較好的吸收,并能有效地傳遞給摻雜的Eu<'3+>,Tb<'3+>和Ce<'3+>,從而發(fā)射出高強度的可見光。 第三章中,闡述了稀土離子4f<'N>組態(tài)和4f<,N-1>5d組態(tài)的能級計算理論。根據(jù)第二章中實驗上所測得的光譜數(shù)據(jù),應用M.F Reid的4f能級計算程序?qū)dOBr基質(zhì)晶場中Zu<'3+>離子的<'5>D<,0-2>和<'7>F<'0-4>態(tài)的各4f<'N>能級進行了擬合計算,并給出了計算中所涉及的自由離子
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