分子束外延生長Er-,2-O-,3-高k柵介質(zhì)材料的物理特性研究及硅基磁性半導(dǎo)體材料的制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文對分子束外延生長Er<,2>O<,3>高k柵介質(zhì)材料的物理特性研究及硅基磁性半導(dǎo)體材料的制備進(jìn)行了探討。本研究在不同的氧氣壓及不同的襯底溫度下，用在真空中蒸發(fā)金屬鉺源和通入流量可控的低壓氧氣來生長Er<,2>O<,3>薄膜。在氧氣壓為7×10<'-6>Torr，襯底溫度為700℃的條件下，我們在Si(001)和Si(111)襯底上分別獲得了單一取向、結(jié)晶狀況良好的外延Er<,2>O<,3>薄膜。Er<,2>O<,3>薄膜在Si(00

2、1)襯底上的外延關(guān)系為Er<,2>O<,3>(110)∥Si(001)，Er<,2>O<,3>[001]∥Si[110]或者Er<,2>O<,3>[110]∥Si[110]。其在Si(111)襯底上的外延關(guān)系為Er<,2>O<,3>(111)∥Si(111)，Er<,2>O<,3>[110]∥Si[110]。為了檢驗在Si(001)襯底上外延的Er<,2>O<,3>薄膜的電學(xué)性質(zhì)，對薄膜進(jìn)行了 C-V和I-V的測試。通過C-V特性的測試

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