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1、利用分子束外延(MBE)在刻有一維溝道的p型Si(100)圖案襯底上,制備出一維有序排列的量子點(diǎn)。在此基礎(chǔ)上,通過在樣品表面蒸鍍鋁電極,尋找合適退火條件使電極與樣品形成歐姆接觸,進(jìn)而通過綜合物性測(cè)量系統(tǒng)(PPMS)的四探針法研究了低溫下樣品的電阻,磁阻性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)表明當(dāng)溫度低于22K左右,沿一維溝道的縱向電阻明顯低于沿垂直溝道的橫向電阻。通過分析發(fā)現(xiàn),這是由于低溫下樣品中同時(shí)存在兩個(gè)導(dǎo)電層,硼摻雜的δ層和量子點(diǎn)層,而后者只對(duì)縱向電導(dǎo)有貢獻(xiàn)
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