二維量子薄膜電子結構及輸運性質的調控.pdf

1、近年來，隨著對自旋電子學和磁電子學研究的不斷進展，通過化學修飾、外加應力、外電場或外加磁場的方式來調控二維量子薄膜材料電子結構及輸運性質的研究成為人們關注的熱點。在本論文中，我們用密度泛函理論方法研究了化學修飾以及外加電場對二維量子薄膜的電子結構及其輸運性質的調制效應，為二維量子薄膜材料在自旋電子學和磁電子學中的應用提供了理論研究的基礎。在第一性原理計算的同時考慮非平衡格林函數(shù)的方法對這些材料的電子輸運性質及其在實際器件中的應用進行了計

2、算。在本論文工作中我們主要的研究內(nèi)容和成果包括：
　　1.我們對化學修飾引起的石墨烯以及二維六角氮化硼表面功函數(shù)的調制效應進行了研究。研究結果發(fā)現(xiàn)不同電負性原子的吸附引起的電荷再分布以及成鍵電荷的轉移是化學修飾引起的石墨烯以及二維六角氮化硼表面功函數(shù)的變化的主要原因；
　　2.我們對過渡金屬嵌入的石墨烯以及二維六角氮化硼的雙層二維量子薄膜材料作為中間絕緣層，與Ni（111）金屬電極構成的磁性隧道結的電子結構以及電輸運性質進行

3、了系統(tǒng)的研究。我們發(fā)現(xiàn)：過渡金屬的嵌入引起石墨烯以及二維六角氮化硼的雙層二維量子薄膜材料在費米能級附近的能帶結構發(fā)生自旋極化；過渡金屬Co/Fe嵌入的雙層石墨烯-二維六角氮化硼結構作為中間絕緣層材料的磁性隧道結的隧穿磁電阻率為169.94％/173.00％，這兩種過渡金屬嵌入的雙層石墨烯-二維六角氮化硼結構對于自旋電子學中構造完美的自旋過濾器件是非常好的備選材料；
　　3.我們通過對Bi2Se3結構與過渡金屬Fe電極構成的磁性隧道

4、結進行輸運性質的研究發(fā)現(xiàn)：隨著外加電場的變化，整個磁性隧道結的隧穿磁電阻率呈現(xiàn)出趨于穩(wěn)定的震蕩性變化，分析其原因我們發(fā)現(xiàn)自旋相關的電荷再分布是引起隧穿磁電阻率變化的主要原因。我們的研究結果表明單層Bi2Se3對于構造完美的磁性隧道結來說是一種非常有應用前景的中間絕緣層材料；
　　4.我們研究了磁性過渡金屬Co、Mn原子替代摻雜石墨烷的電子結構性質，并通過外加電場的方式對結構的磁性性質進行調控。研究結果發(fā)現(xiàn)這兩種過渡金屬與石墨烷的碳