Mg位摻雜MgB-,2-超導(dǎo)體的超導(dǎo)電性與微結(jié)構(gòu)研究.pdf

1、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士學(xué)位論文Mg位摻雜MgB超導(dǎo)體的超導(dǎo)電性與微結(jié)構(gòu)研究姓名：張尚明申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：石磊20080501摘要Mn是以三價(jià)的形式進(jìn)入MgB2晶格。Mn摻雜引入的無(wú)序?qū)е拢瞐n峰寬隨著Mn摻雜量的增加而增大，同時(shí)也抵消了Mn”引入的電子填充效應(yīng)對(duì)黜lIIl鋤峰位的影響，’從而使R撇azl峰位并沒(méi)有隨Mn摻雜量的增加而發(fā)生明顯移動(dòng)。第四章我們通過(guò)固相反應(yīng)法合成了M勖Al(o4x)CrxB2(x=O

2、，OOl，O02，003，O04)多晶樣品，并研究了樣品的相關(guān)性質(zhì)。通過(guò)對(duì)樣品X射線衍射圖和電阻率曲線的分析后發(fā)現(xiàn)，對(duì)于樣品M助6Al(o4。)CrxB2(0堇x薹004)，晶格常數(shù)口，6隨著摻雜量x的增加沒(méi)有發(fā)生明顯變化。晶格常數(shù)c和電阻率隨著摻雜量x的增加，變化趨勢(shì)非常相似，都是隨著摻雜量x的增加，先減小，后增加，在X=O02時(shí)出現(xiàn)拐點(diǎn)。我們推測(cè)，Cr摻雜導(dǎo)致了晶格常數(shù)隨著摻雜量x的增加，先減小，后增加，進(jìn)而影響晶格振動(dòng)也會(huì)出現(xiàn)某種